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PTC 温等静压机选型总表
PTC LT 系列温等静压机参数总表
| 项目 | PTC LT08001D 温等静压机 | PTC LT12001D 温等静压机 | PTC LT12002H 高压型温等静压机 | PTC LT14001D 温等静压机 | PTC LT20001D 超大腔体温等静压机 |
|---|---|---|---|---|---|
| 最大压强 | 8000psi(55MPa) | 8000psi(55MPa) | 12000psi(83MPa) | 8000psi(55MPa) | 8000psi(55MPa) |
| 压强精度 | ±50psi | ±50psi | ±50psi | ±50psi | ±50psi |
| 最高工作温度 | 85℃(可选配 93℃) | 85℃(可选配 93℃) | 85℃(可选配 93℃) | 85℃(可选配 93℃) | 85℃(可选配 93℃) |
| 温度精度 | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ |
| 腔体尺寸 (WDH) | 76×203×381mm | 117×295×420mm | 117×295×420mm | 152×355×600mm | 203×508×570mm |
| 适用巴块尺寸 | ≤6" | 6"‑10" | 6"‑10" | 6"‑12" | ≤20" |
| 外形尺寸 (WDH) | 915×930×1485mm | 1045×1055×1535mm | 1045×1055×1535mm | 1072×1160×1885mm | 1372×1397×1981mm |
| 电源规格 | 220V AC,50Hz,40A | 380VAC,3 相,32A,21KW | 380VAC,3 相,32A,21KW | 380VAC,3 相,32A,21KW | 380VAC,3 相,32A,21KW |
| 气源条件 | 100PSI (0.7MPa),平均 600L/min,峰值 1200L/min | 100PSI(0.7MPa) | 100PSI(0.7MPa) | 100PSI(0.7MPa) | 100PSI(0.7MPa) |
| 水源要求 | 纯净水 / 去离子水,支持桶装水加注 | 纯净水 / 去离子水 | 纯净水 / 去离子水 | 纯净水 / 去离子水 | 纯净水 / 去离子水 |
| 核心定位 | 实验室研发、小批量打样;220V 无需三相电 | 标准量产机型,6‑10 英寸通用多层陶瓷 | 同腔体高压版本,追求更高生坯致密度 | 中大腔体,6‑12 英寸,中小型半导体零部件 | 超大腔体,≤20 英寸,半导体零部件(静电卡盘、陶瓷加热器、探针卡) |
| 典型应用场景 | LTCC、HTCC、PZT、SOFC 研发试制 | LTCC、HTCC、MLCC、PZT、SOFC 通用量产 | 薄层 MLCC、高致密 PZT、高致密度 SOFC 电解质 | HTCC 大板、中小型静电卡盘、中小尺寸探针卡 | 静电卡盘 ESC、陶瓷加热器、探针卡基板、大尺寸陶瓷基板 |
如何快速选择机型
1. 研发打样、实验室配电受限:巴块≤6" → 优先选用 PTC LT08001D,支持 220V 单相供电。
2. 6‑10 英寸常规多层陶瓷量产:选用 PTC LT12001D;如果工艺对生坯致密度、层间结合状态有较高要求,选用高压机型 PTC LT12002H。
3. 6‑12 英寸中大尺寸巴块、中小型半导体零部件:选用 PTC LT14001D。
4. 大尺寸坯体、压力要求不高:可参考 PTC LT18001D(巴块规格待确认)。
5. >12 英寸、大规格半导体零部件(静电卡盘、陶瓷加热器、探针卡):选用 PTC LT20001D。
提示:设备仅提供硬件工艺条件,最终成型效果还和陶瓷浆料、巴块工艺曲线、操作管控相关。建议提供巴块尺寸、材料类型、目标工艺参数,获取设备适配评估。
常见 FAQ:
Q:LT08001D 能不能生产 8 英寸陶瓷巴块?
A:腔体最大适配 6 英寸巴块,8 英寸及以上请选用 PTC LT12001D 及更大腔体型号。
Q:LT12001D 与 LT12002H 的区别?
A:腔体尺寸、整机外形、供电条件完全一致;LT12002H 最大压力提升至 12000psi (83MPa),有助于提升生坯压实效果。
Q:小机型工艺曲线是否可以直接迁移到大腔体设备?
A:压力、温度参数可作为参考依据;腔体放大后升压、升温速率需要重新做工艺验证。
Q:设备必须持续接入流动自来水吗?
A:不需要,设备采用两种注水模式,所有型号支持桶装去离子水加注。
交付与服务
提供设备安装调试、操作维护培训、工艺技术参考;远程及上门技术支持,备件供应;支持试样工艺评估。
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