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PTC LT20001D 超大腔体温等静压机，最大适配 20 英寸巴块，最高压力 8000psi (55MPa)，压强精度 50psi。专为半导体陶瓷零部件开发，有利于大面积坯体压力温度相对均匀，适用于静电卡盘、陶瓷加热器、探针卡、大尺寸 HTCC/LTCC 基板坯体层压成型。
PTC LT20001D 温等静压机，全系最大成型台面腔体，专门面向大尺寸半导体陶瓷零部件的等静压成型，适配最大 20 英寸巴块。半导体静电卡盘、陶瓷加热器、探针卡这类大面积多层陶瓷件，对生坯全域致密度、层间结合状态有着较高要求；设备以去离子水作为传压介质，依靠帕斯卡定律实现密闭腔体内 360° 全方位均匀施压，有利于降低单向压制带来的密度梯度，改善大面积陶瓷生坯整体状态，帮助减少后续烧结翘曲、层裂相关不良风险，同时兼容大尺寸 LTCC/HTCC 基板、新能源陶瓷器件生产，已被多家半导体陶瓷制造企业选用，拥有多年陶瓷成型装备研发制造经验。
工作原理:
设备以水为压力传递介质，在密闭高压腔体内对工件施加各向等压。依据帕斯卡定律，压力在流体中沿各个方向以同等强度传递，陶瓷生坯在三维方向上同步受压，避免单向模压带来的密度梯度与层间滑移，从而**有利于得到致密度均匀、收缩趋于一致的坯体**，为后续烧结尺寸控制打下基础。整个过程由分段升压、保压、分段降压构成，压力曲线可按工艺配方编程设定。
应用领域：
半导体陶瓷零部件（核心应用）：静电卡盘 (ESC)、半导体陶瓷加热器、探针卡基板、大尺寸氮化铝 / 氧化铝陶瓷基板，半导体设备核心陶瓷零部件生坯层压成型。
通用多层陶瓷： 大尺寸 LTCC 低温共烧陶瓷、HTCC 高温共烧陶瓷大板、大规格 SOFC/SOEC 电池片、大尺寸 PZT 压电陶瓷器件。
设备特点：
超大腔体台面，支持最大 20 英寸巴块，可实现半导体大零部件一体化成型，有利于减少拼板带来的工艺风险；
高精度压力控制：压强精度 ±50psi，大腔体工况下保持压力输出稳定，有利于改善静电卡盘、加热器器件的批次状态；
温控均匀：最高温度 85℃（可选配至 93℃），温度精度 ±2℃，有利于维持大腔体内温度场均匀，适配半导体多层生坯粘结剂活化工艺；
可编程分段升降压：针对半导体陶瓷零部件可定制复杂压力‑保压‑降压工艺曲线；
人机界面简洁，可存储多套半导体零部件专属工艺配方；
整机面向半导体陶瓷生产工况设计。
同腔体尺寸中设备体积最小
基本参数：
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | LT20001D |
| 最大压强 | 8000psi(55MPa) |
| 压强精度 | ±50psi |
| 最高温度 | 85℃（可选配至 93℃） |
| 温度精度 | ±2℃ |
| 腔体尺寸 (WDH) | 203*508*570mm |
| 适用巴块尺寸 | ≤20" |
| 外形尺寸 (WDH) | 1372*1397*1981mm |
| 电源 | 380VAC 三相 |
| 气源 | 100PSI(0.7Mpa) |
| 水源 | 纯净水，去离子水 |
选型对比指引
- 6‑10 英寸产品：LT12001D / LT12002H；
- 6‑12 英寸中大尺寸：LT14001；
＞12 英寸，半导体大零部件（静电卡盘、加热器、探针卡）优先选用 LT20001
常见 FAQ
Q：LT20001 适合静电卡盘生坯成型吗？
A：可用于大尺寸半导体陶瓷零部件成型，腔体支持 20 英寸以内巴块，均匀等压工艺有利于改善大面积坯体致密度状态，降低烧结翘曲分层风险，实际成品效果还与材料、工艺参数相关。
Q：设备进场需要注意什么？
A：整机外形尺寸大，前期需要确认厂房通道、吊装空间、三相供电、气源水源条件。
Q：半导体陶瓷和普通电子陶瓷可以共用一套设备吗？
A：硬件可以共用；生产半导体高洁净部件，需要管控介质洁净度，建议做隔离生产管理。
