PTC VM12003 挤压式氮化铝填孔机

PTC VM12003 挤压式氮化铝填孔机，面向多层陶瓷小孔金属化工艺，支持生瓷、熟瓷基板填孔，填孔孔径 0.05‑1mm，适配氮化铝、氧化铝基板，用于 HTCC 封装、静电卡盘、探针卡通孔填充，适配高粘度浆料、高深宽比工艺。

PTC VM12003 挤压式氮化铝填孔机，为多层陶瓷器件小孔金属化工艺开发的挤压式填孔设备，适配氮化铝、氧化铝、氧化锆等材质陶瓷基板，可应用于 HTCC 陶瓷封装、半导体静电卡盘、探针卡基板等相关制造环节。设备采用掩膜挤压填孔工艺，导电浆料在气压作用下通过掩膜进入生瓷片或者烧结后陶瓷基板的通孔内部，有助于排出孔内空气，改善通孔填充状态；该工艺路径可作为丝网印刷的替代方案，有利于减少丝网印刷工艺容易出现的孔内空气滞留现象，适配高粘度浆料、小孔径、高深宽比的导电填充场景，可满足生产企业、高校、科研院所的工艺开发与生产使用，整机适配实验室及量产工况。

工作原理

VM12003 挤压式填孔机依托气压挤压的工艺方式，将填孔浆料经由专用掩膜对准基板通孔进行填充。基板定位完成后，压力作用于浆料，使浆料沿掩膜孔道进入陶瓷通孔，通孔内部空气可随浆料填充向外排出；依靠流体作用，浆料逐步填充通孔腔体，以此完成生瓷片或者烧结陶瓷基板的通孔金属化作业，实现层间电气互连的工艺基础。整套压力、注射时间均可参数化设置，适配不同浆料与基板工艺条件。

应用领域

光通讯陶瓷管壳；

HTCC 高温共烧陶瓷封装基板；

半导体陶瓷零部件：静电卡盘、探针卡陶瓷基板通孔金属化；

氮化铝、氧化铝、氧化锆等材质陶瓷基板小孔导电填充；

厚膜电子陶瓷器件研发与小批量生产。

特点：

兼容生瓷片与烧结后陶瓷基板两种工件的填孔作业；

填孔孔径覆盖 0.05mm‑1mm，适配微小通孔加工需求；

挤压式掩膜直填工艺，适配高深宽比通孔的填孔场景；

气压挤压作业模式，有助于排出通孔内部空气，改善通孔填充效果；

有利于降低丝网印刷工艺容易产生的孔内空气滞留风险，减少重复印刷作业需求；

人机操作简洁，日常维护成本较低；

支持选配自动上下料模块，适配自动化产线拓展需求。

技术参数

项目	参数
型号	PTC VM12003
有效填充尺寸	100100mm~203203mm (兼容带框工艺)
填孔孔径	0.05mm‑1mm
填孔压力	0‑100 psi (0.7MPa)
循环时间	可调（标准 20s）
注射时间	0.1‑99s
工作台	4 轴可调
对位系统	CCD 显微镜双十字视觉对位
工作台精度	±0.0025 mm
适用浆料粘度	最高 500,000cps